创见工业存储解决方案利用112层3D NAND闪存以具有竞争力的成本提供更先进的性能。与上一代将存储单元堆叠到96层的技术不同，它允许112层NAND闪存以每单元三位结构（TLC）垂直堆叠。
创建更高的存储密度
112层3D NAND闪存提供更高的存储密度。这意味着更多的存储单元垂直堆叠，从96层到112层，更多的单元水平放置在芯片上。与上一代相比，每个晶片的存储密度增加了50%，每个裸片的密度达到1Tb，与96层3D NAND的512 Gb相比增加了两倍。更高的存储密度意味着更高的容量和数据密度，以及更低的每比特成本。企业可以以具有竞争力的成本享受更大的容量。
| NAND 类型 |
112层
3D TLC |
96层
3D TLC |
64层
3D TLC |
| 位／储存单元 |
3 |
3 |
3 |
| 晶圆密度 |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
| 效能 |
★★ |
★ |
★ |
| 耐用度(P/E cycles) |
3K |
3K |
1K |
| 资料保存可靠度 (Data retention) |
★★ |
★★ |
★ |
| 功耗 |
普通 |
普通 |
普通 |
| 成本/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
| 特色 |
适合高效能工业应用 |
适合固态硬盘与大部分工业应用 |
一般用于消费性市场 |
*注：写入抹除次数(P/E cycles)因NAND闪存类型、测试环境和制造工艺节点而异。
速度效能提升
除了更大的容量外，112层3D NAND闪存还为闪存提供了更具吸引力的I/O性能。它的吞吐量比其前身高出50%。在PCIe Gen 4x4 SSD中采用112层闪存时，可以预期引人注目的性能。这使其成为5G、汽车、AIoT和云计算应用提供更高速度和更低延迟的理想选择。
进阶技术导入
为了增强其可靠性，创见在112层3D NAND闪存中采用了其他基本技术，以延长产品寿命并优化性能。这包括宽温度、SLC缓存、RAID引擎、LDPC ECC等。通过这些方法，可以确保数据完整性，并且在数据密集的应用程序下，内存可以保持更长的可持续使用。