DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS256MSK64W6N-I

  • 2GB
  • 低电压兼宽温

同时具备低电压(1.35V)与宽温(-40°~85ºC)特性,符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM内存模块,宽温特性适合工业机台于严苛的操作环境使用。此外,相较于标准DDR3内存的1.5伏特,耗电更低仅1.35伏特,可有效为企业达到节能减碳的目标。

规格

内存模块

RAM种类
DDR3
DIMM种类
Unbuffered SO-DIMM
速度
1600
时序
CL11
容量
2GB
Rank
1Rx8
DRAM
(256Mx8)x8
电压
1.35V
Pin
204 pin
电路板高度
1.18 吋

操作环境

工作温度
  • 标准
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 宽温
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

保修

保修
  • 终身有限保修
保修政策
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  • 由于工业应用的多元性及复杂性,创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境,建议您购买前先与我们联系。

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